เฟต (FET) PDF พิมพ์

    เฟตมาจากคำว่า Field Effect Transistor เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอีกตัวหนึ่งที่มีประโยชน์และมีการนำมาใช้งานอย่างมาก ถ้าจะมองอย่างผิวเผินเฟตก็คือ ทรานซิสเตอร์แบบหนึ่งทรานซิสเตอร์ปกติจะมีข้อด้อยในด้านอินพุตอิมพีแดนซ์ที่ค่อนข้างต่ำ ดังนั้นถ้าหากนำมาใช้ในวงจรที่ต้องการอินพุตอิมพีแดนซ์สูงๆจะต้องออกแบบวงจรค่อนข้างซับซ้อนแต่ปัญหานี้จะหมดไป ถ้าหากใช้เฟตแทนทรานซิสเตอร์เนื่องจากว่าโดยตัวของเฟตมีอินพุตอิมพีแดนซ์ที่สูงมากทรานซิสเตอร์ธรรมดามักจะทำงาน ด้วยกระแสไฟฟ้า แต่สำหรับเฟตแล้วจะใช้สนามไฟฟ้าควบคุมการทำงานจึงได้ชื่อว่า Field effect transistor ซึ่งมีด้วยกัน 2 แบบคือ แบบพีแชนเนลและเอ็นแชนเนล เฟตมีด้วยกัน 2 ชนิดคือ เจเฟต (JFET) และมอสเฟต (MOSFET)โดยจะแตกต่างกันที่ลักษณะของโครงสร้าง

เจเฟต(JFET)
 

    เจเฟต(JFET)มาจากคำว่าJunctionFieldEffectTransistor
ลักษณะโครงสร้าง สัญลักษณ์

   เฟตจะประกอบด้วยชั้นสารซิลิกอน N ซึ่งได้รับการแพร่ลงบนรอยต่อของชิ้นสารพีและเอ็นเฟตมีขาต่อใช้งาน  3 ขา คือ ขาเกท(gate), เดรน (drain) และซอร์ส (source) ระหว่างขาเดรนกับซอร์สจะได้รับไบแอสตรง ดังนั้นกระแสจะไหลจากขาเดรนไปยัง ขาซอร์สความสามารถในการนำกระแสของเฟตจะขึ้นอยู่กับแรงดันที่ขาเกทถ้าหากแรงดันที่เกทเป็นลบมากกระแสก็จะไหลน้อยและ ถ้าหากแรงดันที่ขาเกทเป็นลบถึงค่าหนึ่ง ก็จะทำให้ไม่มีกระแสเดรนไหลเลย แรงดันเกทที่ค่านั้นจะเรียกว่า แรงดันพิตช์ออฟ (pitchoff voltage) โดยปกติมีค่าประมาณ -5 โวลต์

มอสเฟต(MOSFET)
 

    MOSFET มาจากคำว่า Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor เป็นเฟตที่ประกอบด้วยสารกึ่งตัวนำซึ่งได้รับการเคลือบผิวบางส่วนด้วยโลหะออกไซด์ ส่วนมากใช้เป็นส่วนประกอบใน CPU และไอซี CMOS ในหน่วยความจำ
ข้อเด่นของเฟตชนิดนี้คือ

  • มีค่าความต้านทานอินพุต(หมายถึงค่าความต้านทานที่เกท)สูงมาก เกือบวัดไม่ได้(Infinite) ดังนั้น เกทจะใช้กำลังไฟน้อยมาก

  • สามารถผลิตได้ง่าย

  • มีขนาดเล็ก

  • MOSFET คล้ายตัวต้านทานที่แปรค่าได้ โดยการควบคุมแรงเคลื่อนของเกท

  • สามารถเปิด/ปิดกระแสได้เร็วมาก ภายใน 0.5 ไมโครวินาที


แต่มีข้อเสียคือ สามารถชำรุดได้ง่ายเมื่อถูกไฟฟ้าสถิต
    ลักษณะโครงสร้าง และสัญลักษณ์ ของมอสเฟต
ข้อแตกต่างระหว่างเจเฟตกับมอสเฟตในเรื่องของโครงสร้างคือ ที่ขั้วต่อขาเกทของมอสเฟตจะมีฉนวนกั้นกลาง ดังนั้นขาเกทจึงไม่ถูกต่อเข้าโดยตรงกับชิ้นสารกึ่งตัวนำ
สำหรับฉนวนกั้นกลางใช้สารซิลิกอนออกไซด์มอสเฟตยังแบ่งเป็นอีก 2 แบบคือ แบบดีพลีชั่น(depletion) และแบบเอนฮานซ์เมนต์ (enhancement)

 
< ก่อนหน้า   ถัดไป >
สถิติผู้เยี่ยมชม: 28596094
ขณะนี้มี 12 บุคคลทั่วไป ออนไลน์

สมัครสมาชิก
เพื่อรับเอกสารเพิ่ม!