RmutPhysics.com
เมษายน 16, 2014, 09:16:22 pm *
ยินดีต้อนรับคุณ, บุคคลทั่วไป กรุณา เข้าสู่ระบบ หรือ ลงทะเบียน

เข้าสู่ระบบด้วยชื่อผู้ใช้ รหัสผ่าน และระยะเวลาในเซสชั่น
ข่าว:
 
   หน้าแรก   ช่วยเหลือ ค้นหา ปฏิทิน สมาชิก เข้าสู่ระบบ สมัครสมาชิก  
หน้า: [1]
  พิมพ์  
ผู้เขียน หัวข้อ: มอสเฟต(MOSFET)  (อ่าน 6762 ครั้ง)
0 สมาชิก และ 2 บุคคลทั่วไป กำลังดูหัวข้อนี้
สุวัฒน์ หนูคีรี นักศึกษาวิศวอิเล็ก ผู้ดูแลระบบเว็บบอร์ด
ผู้ดูแลระบบ
Administrator
สุดยอดสมาชิก
*****
ออฟไลน์ ออฟไลน์

เพศ: ชาย
กระทู้: 1545

นักศึกษาวิศวกรรมศาสตร์ELECTRONIC ราชมงคลธัญบุรี

suwat_elec@hotmail.com
ดูรายละเอียด อีเมล์
« เมื่อ: ตุลาคม 21, 2009, 03:28:53 pm »

โพสโดย ผู้ดูแลระบบ นายสุวัฒน์  หนูคีรี นักศึกษาวิศวอิเล็ก

มอสเฟต ( MOSFET)

มอสเฟตจะแบ่งออกเป็น 2 ชนิด ก็คือ ดีพลีชั่น (Depletion) และ เอนฮานซ์เมนต์ (Enhancement) แต่ละ

ประเภท ยังแบ่งออกเป็น 2 แบบ คือ แบบแชนแนล n และ แบบแชนแนล p



มอสเฟตประเภท ดีพลีชั่นหรือดีมอสเฟต (D-MOSFET) ทั้ง 2 แบบจะทํางานได้ 2 โหมด คือ โหมดดี

พลีชั่น ( Depletion Mode) และ โหมดเอนฮานซ์เมนต์ ( Enhancement Mode) กล่าวคือ ถ้าจ่ายแรงดันลบ

ให้กับดีมอสเฟต แชนแนล n จะทํางานในโหมดดีพลีชั่น แต่ถ้าจ่ายแรงดันบวกจะทํางานในโหมดเอน

ฮานซ์เมนต์ ส่วนดีมอสเฟตแชนแนล p ก็จะทํางานคล้ายกันเมื่อ ได้รับแรงดันที่มีขั้วตรงข้ามกับแบบ

แชนแนล n

มอสเฟตประเภทเอนฮานซ์เมนต์หรืออีมอสเฟต (E-MOSFET) มีโครงสร้างบางอย่างคล้ายกับมอสเฟต

แบบดีพลีชั่น แต่จะทํางานได้เฉพาะโหมดเอนฮานซ์เมนต์เท่านั้นครับ

ดีมอสเฟตแบ่งออกเป็น 2 ประเภท คือ

1. ดีมอสเฟตแบบแชนแนล n

2. ดีมอสเฟตแบบแชนแนล p

สัญลักษณ์ของ ดีมอสเฟต

ดีมอสเฟตแบบแชนแนล n

โครงสร้างของดีมอสเฟตแบบแชนแนล n เป็นดังรูป

แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
สุวัฒน์ หนูคีรี นักศึกษาวิศวอิเล็ก ผู้ดูแลระบบเว็บบอร์ด
ผู้ดูแลระบบ
Administrator
สุดยอดสมาชิก
*****
ออฟไลน์ ออฟไลน์

เพศ: ชาย
กระทู้: 1545

นักศึกษาวิศวกรรมศาสตร์ELECTRONIC ราชมงคลธัญบุรี

suwat_elec@hotmail.com
ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #1 เมื่อ: ตุลาคม 21, 2009, 03:30:03 pm »

ดีมอสเฟตแบบแชนแนล n ประกอบขึ้นจากแผ่นผลีกฐาน p (p-substrate) ที่เป็นสารกึ่งตัวนําทําจาก

ซิลิกอนขั้ว D และขั้ว S ต่อกับบริเวณที่มีการกระตุ้นหรือโดปให้เป็นบริเวณสารกึ่งตัวนํา n (n-doped

region) ทั้งสองส่วนนี้จะเชื่อม กับแชนแนล n สําหรับขั้ว G จะต่อกับวัสดุผิวนอกที่เป็นโลหะโดยมี

ซิลิคอนไดออกไซด์ ( SiO 2 ) กั้นแชนแนล n กับขั้ว G ( ซิลิคอนได ออกไซด์เป็นฉนวนประเภทได

อิเลคทริค) เมื่อมีสนามไฟฟ้าจ่ายเข้ามาที่ชั้นของ SiO 2 ก็จะสร้างสนามไฟฟ้า ต้านและสร้างชั้นฉนวน

ขึ้นภายในตัวเองเพื่อกั้นขั้วเกทกับแชนแนล แสดงว่า ไม่มีการต่อโดยตรงระหว่างขั้ว G กับ แชนแนล

ของมอสเฟต ขั้นที่เป็นฉนวน SiO 2 จะทําให้ Z i มีค่าสูงตามความต้องการได้

นอกจากนี้บางครั้งจะต่อแผ่นผลึกจากฐานเข้ากับแหล่งจ่ายจึงมีขั้วเพิ่มขึ้นมาเรียกวฃ่า ขั้วผลึกฐาน SS

(Substrat : SS) ทําให้มี ขั้วเพิ่มเป็น 4 ขั้ว และจากข้างต้น จึงสรุปความหมายของคําว่า MOS

ในชื่อมอสเฟต ( ทรานซิสเตอร์สนามไฟฟ้า โลหะออกไซด์สารกึ่งตัวนํา) ได้ดังนี้

- โลหะ ( Metal, M) หมายถึง บริเวณสําหรับการต่อขั้ว D, S และ G กับวัสดุผิวนอก

- ออกไซด์ ( Oxide, O) หมายถึง ซิลิคอนไดออกไซด์ ( SiO 2 )

- สารกึ่งตัวนํา ( Semiconductor, S) หมายถึง โครงสร้างพื้นฐานในบริเวณแพร่กระจาย

ของสารกึ่งตัวนําชนิด p และสารกึ่ง ตัวนําชนิด n

การทํางานและคุณสมบัติเบื้องต้นของดีมอสเฟต ( Basic Operation and Characteristies)

กําหนดให้ VGS ในรูป ( a) มีค่าเป็นศูนย์ แล้วจ่าย V D ที่ขั้ว D และ S ขั้ว D สามารถดึงดูด

อิเล็กตรอนอิสระ( e) ผ่านแชนแนล n และทําให้กระแส I D = I S = I DSS ไหลผ่านแชนแนล n ได้ (

คล้ายกับการไหลของกระแสไฟฟ้า ในแชนแนลของเจเฟทขณะ V GS = 0 V)



* การไหลของกระแส มอสเฟต.png (47.78 KB, 443x183 - ดู 5717 ครั้ง.)
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
สุวัฒน์ หนูคีรี นักศึกษาวิศวอิเล็ก ผู้ดูแลระบบเว็บบอร์ด
ผู้ดูแลระบบ
Administrator
สุดยอดสมาชิก
*****
ออฟไลน์ ออฟไลน์

เพศ: ชาย
กระทู้: 1545

นักศึกษาวิศวกรรมศาสตร์ELECTRONIC ราชมงคลธัญบุรี

suwat_elec@hotmail.com
ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #2 เมื่อ: ตุลาคม 21, 2009, 03:30:47 pm »

ถ้าจ่าย VGS ที่มีค่าเป็นลบให้กับขั้วเกท (รูป b) เช่น -1 V ความต่างศักย์ที่ขั้วเกทจะผลักดันให้

อิเลคตรอนอิสระเคลื่อน ไปยัง แผ่นผลึกฐาน p และดึงดูดโฮลจากแผ่นผลึกฐาน p ทําให้อิเลคตรอน

และโฮลรวมตัวกันใหม่ (Recombination Process) จึงเกิดการลดจํานวน อิเลคตรอนอิสระในแชนแนล

n ที่มีไว้สําหรับการนํากระแส เมื่อมีค่า V GS เป็นลบมาก เท่าใดก็จะเกิดการรวมตัวกันใหม่มากขึ้น

เท่านั้นและ อิเลคตรอนอิสระที่แชนแนล n ก็จะมีจํานวนลดลง จึงกล่าวได้ว่าถ้า V GS เป็นลบมากขึ้น


ID จะมีค่าน้อยลง เขียนเป็นเคอร์ฟคุณลักษณะได้ ดังรูปต่อไปนี้ การทํางานขณะ VGS เป็นลบนี้ เรา

เรียกว่า การทํางานในโหมดดีพลีชั่น

ถ้าจ่าย V GS ที่มีค่าเป็นบวกให้กับขั้วเกทความต่างศักย์ที่ขั้วเกทจะดึงดูดอิเลคตรอนจากผลึกฐาน p

มายังบริเวณ ชั้น SiO 2 ทําให้พาหะนํากระแสและสภาพนํากระแสของแชนแนลเพิ่มขี้น ดังนั้นกระแส I

D จึงเพิ่มขึ้นจนมีค่ามากกว่า I DSS การทํางานขณะ V GS เป็นบวกนี้เราเรียกว่า การทํางานในโหมดเอน

ฮานซ์เมนต์

แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
สุวัฒน์ หนูคีรี นักศึกษาวิศวอิเล็ก ผู้ดูแลระบบเว็บบอร์ด
ผู้ดูแลระบบ
Administrator
สุดยอดสมาชิก
*****
ออฟไลน์ ออฟไลน์

เพศ: ชาย
กระทู้: 1545

นักศึกษาวิศวกรรมศาสตร์ELECTRONIC ราชมงคลธัญบุรี

suwat_elec@hotmail.com
ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #3 เมื่อ: ตุลาคม 21, 2009, 03:44:49 pm »

ดีมอสเฟตแบบแชนแนล p

โครงสร้างของดีมอสเฟตแบบแชนแนล p มีลักษณะตรงข้ามกับรูปของดีมอสเฟตแบบแชนแนล n คือ

ประกอบด้วย แผ่นผลึก ฐาน n และแชนแนล p ดังรูป

 


แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
สุวัฒน์ หนูคีรี นักศึกษาวิศวอิเล็ก ผู้ดูแลระบบเว็บบอร์ด
ผู้ดูแลระบบ
Administrator
สุดยอดสมาชิก
*****
ออฟไลน์ ออฟไลน์

เพศ: ชาย
กระทู้: 1545

นักศึกษาวิศวกรรมศาสตร์ELECTRONIC ราชมงคลธัญบุรี

suwat_elec@hotmail.com
ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #4 เมื่อ: ตุลาคม 21, 2009, 03:47:44 pm »

จากการเปรียบเทียบคุณลักษณะของดีมอสเฟตแบบแชนแนล n กับดีมอสเฟตแบบแชนแนล p ( ตามรูป

b และ c) เราพบว่า

ทิศทางของกระแสขั้วแรงดันต่าง ๆ กลับกันทําให้คุณลักษณะกลับกันด้วย I D จะเริ่มเพิ่มขึ้นจากจุด

Cutoff ที่ V GS = V p และขณะที่ V GS มี ค่าเป็นบวกลดลง I D จะเพิ่มขี้นจนถึง I GSS และเพิ่มอย่าง

ต่อเนื่องจนเลยค่า I GSS เมื่อ V GS มีค่าเป็นลบเพิ่มขี้นยังคงใช้สมการของชอคเล่ย์ ได้แต่ ควรระวัง

เครื่องหมาย V GS และ V p ในสมการให้ถูกต้อง ( คือจะต้องมีเครื่องหมายเป็นบวก)





สัญลักษณ์ของดีมอสเฟต ( Symbols)

สัญลักษณ์ของดีมอสเฟตแบบแชนแนล n และ p เป็นดังรูป



* สัญลักษณ์เฟต.png (22.37 KB, 248x176 - ดู 5654 ครั้ง.)
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
สุวัฒน์ หนูคีรี นักศึกษาวิศวอิเล็ก ผู้ดูแลระบบเว็บบอร์ด
ผู้ดูแลระบบ
Administrator
สุดยอดสมาชิก
*****
ออฟไลน์ ออฟไลน์

เพศ: ชาย
กระทู้: 1545

นักศึกษาวิศวกรรมศาสตร์ELECTRONIC ราชมงคลธัญบุรี

suwat_elec@hotmail.com
ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #5 เมื่อ: ตุลาคม 21, 2009, 03:50:13 pm »

ถ้าสังเกตให้ดีจะเห็นว่า สัญลักษณ์สื่อความหมายถึงโครงสร้างแท้จริงของอุปกรณ์ ช่องว่าง

ระหว่างขั้ว G กับขั้ว D

( ที่ต่อกับขั้ว S) แสดงว่าไม่มีการต่อกันโดยตรงระหว่างขั้วทั้งสามเนื่องจากมีฉนวนกันที่ขั้ว G ส่วนขั้ว

ผลึกฐาน SS ใน มอสเฟต บางครั้งมี บางครั้งไม่มี จึงเขียนสัญลักษณ์ได้ทั้ง 2 แบบ คือ กรณีที่มีขั้ว SS

และในกรณีไม่มีขั้ว SS ในการ วิเคราะห์ลําดับต่อไปมัก จะไม่มีขั้ว SS ดังนั้น สัญลักษณ์ที่อยู่ข้างล่าง

จะเป็นสัญลักษณ์ที่ใช้ทั่ว ๆ ไป

แม้วว่าโครงสร้างและขอบเขตการทํางานของ ดีมอสเฟตกับอีมอสเฟตจะมีลักษณะคล้ายกันอยู่บ้างนะ

ครับ แต่เคอร์ฟ คุณลักษณะของอีมอสเฟตจะแตกต่างออกไปโดยสิ้นเชิง กล่าวคือไม่สามารถนําสมการ

ของชอคเลย์มาเขียนเคอร์ฟถ่ายโอนของอีมอสเฟตได้ และกระแส I D ยังไม่เกิดขึ้นจนกระทั่ง V GS มี

ค่าสูงถึงค่าเฉพาะคําหนึ่ง

แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
สุวัฒน์ หนูคีรี นักศึกษาวิศวอิเล็ก ผู้ดูแลระบบเว็บบอร์ด
ผู้ดูแลระบบ
Administrator
สุดยอดสมาชิก
*****
ออฟไลน์ ออฟไลน์

เพศ: ชาย
กระทู้: 1545

นักศึกษาวิศวกรรมศาสตร์ELECTRONIC ราชมงคลธัญบุรี

suwat_elec@hotmail.com
ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #6 เมื่อ: ตุลาคม 21, 2009, 03:51:25 pm »

อีมอสเฟตแบ่งออกเป็น 2 ประเภทคือ

1. อีมอสเฟตแบบแชนแนล n

2. อีมอสเฟตแบบแชนแนล p

สัญลักษณ์ของ อีมอสเฟต

อีมอสเฟทแบบแชนแนล n


แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
สุวัฒน์ หนูคีรี นักศึกษาวิศวอิเล็ก ผู้ดูแลระบบเว็บบอร์ด
ผู้ดูแลระบบ
Administrator
สุดยอดสมาชิก
*****
ออฟไลน์ ออฟไลน์

เพศ: ชาย
กระทู้: 1545

นักศึกษาวิศวกรรมศาสตร์ELECTRONIC ราชมงคลธัญบุรี

suwat_elec@hotmail.com
ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #7 เมื่อ: ตุลาคม 21, 2009, 03:54:50 pm »

อีมอสเฟตแบบเชนแนล n ประกอบขึ้นจากแผ่นผลึกฐาน p ที่เป็นสารกึ่งตัวนําทําจากซิลิคอน ขั้ว

D และขั้ว S ต่อกับ บริเวณที่มีการกระตุ้น n โดยผ่านวัสดุผิวนอกที่เป็นโลหะ นอกจากนี้บางครั้งจะต่อ

แผ่นผลึกฐาน p เข้ากับแหล่งจ่าย จึง มีขั้ว SS เพิ่มขึ้นมาคล้ายกับดีมอสเฟต

ถ้าสังเกตรูป ให้ดีจะเห็นได้ว่าไม่มีเส้นทางเชื่อมหรือไม่มีแชนแนล ( no-channel) ระหว่างบริเวณ

ที่มีการกระตุ้น n

ทั้ง 2 แห่ง นี่คือความแตกต่างกันระหว่างโครงสร้างของอีมอสเฟตและดีมอสเฟต

การทํางานและลักษณ์เบื้องต้นของอีมอสเฟต

กําหนดให้ V GS = 0V และจ่าย V DS ที่มีค่าเป็นบวกให้กับขั้ว S กับขั้ว D โดยขั้ว SS ต่อรวมกับขั้ว S

ดังรูปจะเกิดจาก ไบอัสกลับที่รอยต่อ p-n ( บริเวณที่มีการกระตุ้น n กับผลึกฐาน p) [ เนื่องจากไม่มี

เส้นทางเชื่อม หรือ แชนแนลระหว่างขั้ว D และขั้ว S ทําให้เกิดการต้านการไหลของอิเล็กตรอน] กระแส

ID=0 แตกต่างจาก ดีมอสเฟตและเจเฟทซึ่งมี I D =I DSS



* กระแสไบอัส มอสเฟต.png (41.61 KB, 310x215 - ดู 5573 ครั้ง.)
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
สุวัฒน์ หนูคีรี นักศึกษาวิศวอิเล็ก ผู้ดูแลระบบเว็บบอร์ด
ผู้ดูแลระบบ
Administrator
สุดยอดสมาชิก
*****
ออฟไลน์ ออฟไลน์

เพศ: ชาย
กระทู้: 1545

นักศึกษาวิศวกรรมศาสตร์ELECTRONIC ราชมงคลธัญบุรี

suwat_elec@hotmail.com
ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #8 เมื่อ: ตุลาคม 21, 2009, 03:56:25 pm »

ถ้าจ่าย V DS และ V GS ที่มีค่าเป็นบวกดังรูป ทําให้ขั้ว D และขั้ว G มีความต่างศักย์เป็นบวกการที่

ขั้ว G มีความ ต่างศักย์เป็น บวกนี้จะผลักดันให้โฮลในผลึกฐาน p เข้าไปสู่บริเวณภายในผลึกฐาน p

และดึงดูดอิเล็กตรอนในผลึก ฐาน p ( เป็น พาหะข้างน้อยรวมตัว อยู่ในบริเวณใกล้กับผิวของ SiO 2 )

ซึ่งมีคุณลัษณะเป็นฉนวนและป้องกันอิเล็กตรอนไม่ให้ ดึงดูด ไปยังขั้วเกท

ขณะที่ V GS เพิ่มขึ้น การรวมตัวของอิเล็กตรอนใกล้กับชั้นของ SiO 2 ก็เพิ่มมากขึ้นตามลําดับ

ขณะเดียวกันบริเวณ ที่มีการ กระตุ้น n เกิดการเหนี่ยวนําจากแรงดัง V GS ทําให้มีอิเล็กตรอนหรือ ID (

มีทิศทางตรงข้ามกับอิเล็กตรอน) ไหลระหว่าง ขั้ว D กับขั้ว S ระดับ V GS ทําให้ ID ไหลเราเรียกว่า

แรงดันเธรสโฮลด์ ( Threshold Voltage;V T ) ในสเปคกําหนดให้ V T เป็น V GS(Th)



* กราฟแสดง มอสเฟต.png (82.65 KB, 366x369 - ดู 5597 ครั้ง.)
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
สุวัฒน์ หนูคีรี นักศึกษาวิศวอิเล็ก ผู้ดูแลระบบเว็บบอร์ด
ผู้ดูแลระบบ
Administrator
สุดยอดสมาชิก
*****
ออฟไลน์ ออฟไลน์

เพศ: ชาย
กระทู้: 1545

นักศึกษาวิศวกรรมศาสตร์ELECTRONIC ราชมงคลธัญบุรี

suwat_elec@hotmail.com
ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #9 เมื่อ: ตุลาคม 21, 2009, 03:58:48 pm »

ถ้าเพิ่ม V GS ให้สูงขึ้น I D ก็จะเพิ่มขึ้นด้วย แต่ถ้า V GS มีค่าคงที่ และ เพิ่มค่า V DS จะทําให้ I D

ถึงจุดอิ่มตัว (เช่น เดียวกับดีมอสเฟต) เนื่องจากขั้วบวกของ V DS ดึงดูดอิเลคตรอน จึงจะทําให้ปลาย

ของช่องทางเหนี่ยวนําบริเวณใกล้ขั้ว D แคบลง ใกล้ระดับพินช์ออฟ [ Pinch-Off (Begining)] ดังรูป ( a)

เมื่อนํา KVL มาร่วมพิจารณา จะได้แรงดันไฟฟ้าระหว่าง ขั้ว D กับขั้ว G (V DG ) ดังนี้

V DG = V DS - V GS ——————– สมการที่ 1

ถ้ากําหนดให้ V GS = 8 V และ V DS = 2 V ก็จะได้ V DG = -6 V แต่ถ้าเพิ่ม V GS เป็น 5 V ค่า V

DG จะเป็น - 3 V ( ตาม (สมการที่ 1 ) การลดลงของ V DG ทําให้แรงดึงดูด ( จากขั้วบวกของ V DS ) ที่

มีต่ออิเลคตรอนอิสระในบริเวณ ช่องทางเหนี่ยวนําลดลง ด้วย ทําให้ช่องทางเหนี่ยวนําแคบลง ถ้า

ความกว้างของช่องทางดังกล่าวลดลงเรี่อย ๆ จน กระทั่งถึงจุดพินช์ออฟ ID ก็จะถึงจุดอิ่มตัว ดังที่ได้

อธิบายในดีมอสเฟต



คุณลักษณะของขั้วเครนของมอสเฟตใน รูป ( a) เป็นดังรูป ( b) ขณะ V T = 2 V ที่ V GS = 8

V ทําให้เกิด

V DS อิ่มตัว (V DSsat ) = 6 V ทําให้ได้ความสัมพันธ์ระหว่าง V DSsat กับ V GS ดังนี้

V DSsat = V GS - V T ———————– สมการที่ 2

สมการที่ 2 ทําให้ทราบว่า เมื่อ V T คงที่และ V GS ยิ่งสูงขึ้นเท่าใด V DSsat ก็ยิ่งสูงขึ้นเท่านั้น

ในรูป ( b) ขณะที่ V T เป็น 2 V ณ ตําแหน่งนี้ I D = 0 mA ดังนั้นจึงทําให้ทราบว่า ถ้า V GS มีค่าต่ํา

กว่า V T ค่า I D ของ อีมอสเฟตจะเป็นศูนย์หรือไม่มีกระแสไหลนั่นเอง

ถ้าค่า V GS เพิ่มขึ้นจาก V T เป็น 8 V จะทําให้ระดับการอิ่มตัวของ I D เพิ่มขึ้นจาก 0 mA เป็น 10

mA แต่เนื่องจาก ช่วง ของเคอร์ฟ V GS มีระยะห่างไม่เท่ากัน ดังนั้น I D ที่เพิ่มขึ้น จึงมีความสัมพันธ์กับ

V GS ในลักษณะไม่เป็นเชิงเส้น ดังสมการต่อไปนี้



I D = k ( V GS - V T ) 2 ———————— สมการที่ 3

เมื่อ k เป็นค่าคงที่ของโครงสร้างอีมอสเฟต ซึ่งหาค่าได้จาก

k = I D(on) / ( V GS(on) - V T ) 2 ——————– สมการที่ 4


เมื่อ ID(on) และ VGS(on) เป็นกระแสและแรงดันที่ทําให้เกิดจุดเฉพาะบนเคอร์ฟคุณลักษณะของ

มอสเฟต

สมมติแทนค่า ID(on) = 10 mA ขณะ VGS = 8 V ลงในสมการที่ 4 จะได้ k = 0.278 * 10 -3 A/V 2

แทนค่า k ในสมการที่ 3 เพื่อหาค่า I D สําหรับคุณลักษณะในรูป ( b) โดยสมมติ V GS = 4 V จะได้ I

D = 1.11 mA

สําหรับการวิเคราะห์ไฟฟ้ากระแสตรงของอีมอสเฟต จะใช้คุณลักษณะถ่ายโอนดังรูปต่อไปนี้ในการ

แก้ปัญหา

แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
สุวัฒน์ หนูคีรี นักศึกษาวิศวอิเล็ก ผู้ดูแลระบบเว็บบอร์ด
ผู้ดูแลระบบ
Administrator
สุดยอดสมาชิก
*****
ออฟไลน์ ออฟไลน์

เพศ: ชาย
กระทู้: 1545

นักศึกษาวิศวกรรมศาสตร์ELECTRONIC ราชมงคลธัญบุรี

suwat_elec@hotmail.com
ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #10 เมื่อ: ตุลาคม 21, 2009, 04:02:57 pm »

เคอร์ฟถ่ายโอนในรูป แตกต่างจากเคอร์ฟถ่ายโอนที่กล่าวในตอนต้น ๆ เพราะว่าอีมอสเฟตแบบ

แชนแนล n จะมี ID

เพิ่มขึ้นไม่ได้จนกว่า V GS = V T สมมติว่าเราจะเขียนเคอร์ฟถ่ายโอนที่มี k = 0.5*10 -3 A/V 2 และ

V T = 4 V เมื่อนําสมการที่ 3 มาร่วม พิจารณา จะได้

I D = 0.5*10 -3 ( V GS - 4 V ) 2



* กราฟถ่ายโอน มอสเฟต.png (45.82 KB, 357x253 - ดู 5507 ครั้ง.)
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
สุวัฒน์ หนูคีรี นักศึกษาวิศวอิเล็ก ผู้ดูแลระบบเว็บบอร์ด
ผู้ดูแลระบบ
Administrator
สุดยอดสมาชิก
*****
ออฟไลน์ ออฟไลน์

เพศ: ชาย
กระทู้: 1545

นักศึกษาวิศวกรรมศาสตร์ELECTRONIC ราชมงคลธัญบุรี

suwat_elec@hotmail.com
ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #11 เมื่อ: ตุลาคม 21, 2009, 04:04:05 pm »

อีมอสเฟตแบบแชนแนล p

โครงสร้างของอีมอสเฟตแบบแชนแนล p มีลักษณะตรงข้ามกับแบบแชนแนล n

กล่าวคือ ขั้ว D และขั้ว S ต่อกับผลึกฐาน n และบริเวณที่มีการกระตุ้น p(p-doped regions) แต่ขั้วของ

แรงดันและ ทิศทาง กระแสตรงข้ามกับแบบแชนแนล n นอกจากนี้คุณลักษณะของเคอร์ฟถ่ายโอน ก็จะ

แสดงค่าที่ด้านตรงข้าม





* อีมอสเฟตแบบแชนแนล p.png (46.72 KB, 428x230 - ดู 5475 ครั้ง.)
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
สุวัฒน์ หนูคีรี นักศึกษาวิศวอิเล็ก ผู้ดูแลระบบเว็บบอร์ด
ผู้ดูแลระบบ
Administrator
สุดยอดสมาชิก
*****
ออฟไลน์ ออฟไลน์

เพศ: ชาย
กระทู้: 1545

นักศึกษาวิศวกรรมศาสตร์ELECTRONIC ราชมงคลธัญบุรี

suwat_elec@hotmail.com
ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #12 เมื่อ: ตุลาคม 21, 2009, 04:05:48 pm »

สัญลักษณ์ของอีมอสเฟต ( Symbol)

สัญสักษณ์ของอีมอสเฟตแบบแชนแนล p และแชนแนล n เป็นดังรูป

จะเห็นได้ว่าสัญลักษณ์แสดงโครงสร้างแท้จริงของอุปกรณ์เส้นประเชื่อมระหว่างขั้ว D กับ ขั้ว S

แสดงว่าไม่มี

แชนแนลระหว่างขั้วทั้งสอง ( ขณะไม่ได้รับการไบอัส)ซึ่งเป็นความแตกต่างประการเดียวระหว่าง

สัญลักษณ์ของ ดีมอสเฟตกับอีมอสเฟต



* สัญลักษณ์ของอีมอสเฟต.png (37.09 KB, 289x283 - ดู 5536 ครั้ง.)
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
หน้า: [1]
  พิมพ์  
 
กระโดดไป:  

Powered by SMF 1.1.4 | SMF © 2006-2007, Simple Machines LLC | Thai language by ThaiSMF
หน้านี้ถูกสร้างขึ้นภายในเวลา 0.271 วินาที กับ 21 คำสั่ง